سوابق آموزشی و پژوهشی

تحصیلات

دکترای تخصصی: مهندسی برق _ الکترونیک، دانشگاه سمنان، سال 1396-1392

فعالیتهای آموزشی و دروس تدریس شده

مقطع کارشناسی

  • دروس فیزیک الکترونیک و فیزیک مدرن.
  • درس مدارهای مجتمع خطی.
  • درس مدارهای مخابراتی.
  • درس منابع تغذیه.
  • دروس مدارهای الکتریکی 1و2.
  • دروس الکترونیک1و2 و3 .
  • دروس ریاضی مهندسی و الکترومغناطیس.

مقطع کارشناسی ارشد

  • درس مباحث ویژه در الکترونیک .
  • درس تکنولوژی سیلسیوم روی عایق .
  • دروس ادوات نیمه هادی 1و2 .
  • درس کوانتوم الکترونیک .
  • درس تئوری تکنولوژی ساخت .

علاقه مندیهای پژوهشی

  • نانو الکترونیک، ادوات نانو مقیاس و مشخصات زیر آستانه افزاره
  • مدل سازی کوانتومی در ادوات
  • بهینه سازی ساختارهای نانو لوله های کربنی CNTFET
  • بهینه سازی عملکرد حرارتی ترانزیستور FinFET
  • طراحی ساختار ترانزیستورهای HEMT
  • اثرات خود گرمایی در افزاره های نانو مقياس

مقالات

مقالات ژورنال

Karimi, Fa, et al. "Electrothermal analysis of novel NPP FinFET with electrically doped drain: a dual material gate device for reliable nanoscale applications." Applied Physics A 126.8 (2020): 1-11.

Karimi, Fa, and Ali A. Orouji. "The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electro thermal characteristics."Journal of Computational Electronics- Springe, 2018.

Karimi, Fa, and Ali A. Orouji. "Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 90 (2017): 218-227.

Karimi, Fa, and Ali A. Orouji. "A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 74 (2015): 65-70.

Orouji, Ali A., and Fa Karimi. "A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications." Journal of Computational Electronics 14.3 (2015): 811-819.

Karimi, Fa, and Ali A. Orouji. "A new nanoscale fin field effect transistor with embedded intrinsic region for high temperature applications." Superlattices and Microstructures 96 (2016): 47-58.

Fatemeh Karimi, Hamdam Ghanatian, and Morteza Fathipour. "The Impact of Structural Parameters on the Electrical Characteristics of Silicon Nano Wire Transistor Based on Non Equilibrium Green’s Function." Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 12.2(2012):1131-1135.

Karimi Fatemeh, Morteza Fathipour, and Reza Hosseini. "A quantum mechanical transport approach to simulation of quadruple gate silicon nanowire transistor." Journal of nanoscience and nanotechnology, 11.12 (2011): 10476-10479.

مقالات کنفرانس

Karimi, Fatemeh, and Reza Hosseini. "A quantum mechanical transport approach to analyze of DG Silicon nanowire transistor." Nanoelectronics Conference (INEC), 2010 3rd International. IEEE, 2010.

Hasani, Fargol, Morteza Fathipour, and Fatemeh Karimi. "A quantum transport approach to the calculation of gate tunnelling current in Nano-scale FD SOI MOSFETs." Ultimate Integration of Silicon. ULIS 2009. 10th International Conference on. IEEE, 2009.

Karimi, Fatemeh, pilali abdollah. "Improvement of short channel effects in nano-scale FinFET." IEEE, Int INEC Conf , Taiwan, 21-24 June, 2011.

Karimi, Fatemeh, et al. "The impact of structural parameters on the electrical characteristics of Silicon NanoWire Transistor based on NEGF." IEEE, Int IUMRS-ICEM Conf , August2010 Seoul, Korea.

Fathipour, M., F. Karimi, and R. Hosseini. "The impact of structural parameters on the electrical characteristics of GAA Silicon nanowire transistor." Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS'09. International. IEEE, 2009.

علی حیدر خادم، فاطمه کریمی. « طراحی مبدل سوئیچینگ در ولتاژ صفر و جریان صفر تمام پل(ZVZCS) با مدار کمکی کوپل»، چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک، بهمن ماه 1395، دانشگاه مالک اشتر، تهران، ایران.

علی حیدر خادم، فاطمه کریمی. « طراحی یک مبدل ZVZCS با راندمان بالا و مدار کمکی ساده»، سومین کنفرانس بین المللی نوآوری های اخیر مهندسی برق و کامپیوتر، شهریورماه 1395، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران.

علی اکبر شهرام نژاد، فاطمه کریمی. « ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدان باله های با نواحی سیلیسیم – ژرمانیوم تزریق شده به لایه اکسید مدفون به منظور کاهش اثرات خودگرمایی »، بیست وچهارمین کنفرانس برق ایران ، اردیبهشت ماه 1395، شیراز، ایران.

فاطمه کریمی، مرتضی فتحی پور. « تحلیل ترانزیستورهای نانو سیم سیلسیومی چند گیتی با اسستفاده از مدل انتقال کوانتومی تابع گرین غیر تعادلی»، نهمین همایش دانشجویی فناوری نانو، اسفند1389، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران.

پایان نامه ها

پایان نامه های مقطع ارشد

علي اكبر شهرام نژاد، پایان نامه کارشناسی ارشد، «بررسي و ارتقا قابليت اطمينان به ترانزيستورهاي اثر ميدان سيلسيوم بر عايق باله اي شكل نانو مقياس»، دانشگاه پویش قم، 1394

آرش ابراهيمي احمداباد ،پایان نامه کارشناسی ارشد، «ارائه ساختاري نوين از ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون اتصال دوگيتي جهت بهبود مشخصات زير آستانه»، دانشگاه پویش قم، 1396

محمد خسروي كرين ، پایان نامه کارشناسی ارشد، «شبيه سازي و بهبود مشخصات الكتريكي ساختار ترانزيستورهاي اثر ميدان با قابليت تحرك بالاي الكترون»، دانشگاه پویش قم، 1395

سميه عسگري ، پایان نامه کارشناسی ارشد، «بهبود عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميدان سيليسيم بر عايق با تمركز بر لايه اكسيد گيت»، دانشگاه پویش قم، 1396

علي حيدر خادم ، پایان نامه کارشناسی ارشد، «شبيه سازي و بهينه سازي مبدل تمام پل جريان صفر - ولتاژ صفر با استفاده از مدار كمكي كوپل»، دانشگاه پویش قم، 1395

سيده هاله موسوي، پایان نامه کارشناسی ارشد، «بهينه سازي سلول هاي خورشيدي دو پيوندي GaAs /InGaP با پيوند تونلي جهت بهبود بازده ساختار»، دانشگاه پویش قم، 1396

نرجس ندری، پایان نامه کارشناسی ارشد، «شبيه سازي و بهينه سازي اثرات كانال كوتاه در يك نمونه ترانزيستور نانوسيم اثر ميدان با گيت محيطي»، دانشگاه پویش قم، 1394

هادي شيرغلامي، پایان نامه کارشناسی ارشد، «آناليز و بهينه سازي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي جانبي در ناحيه شكست افزاره (LDMOSFET) »، دانشگاه پویش قم، 1396

سليم قراگوزلوحصاري، پایان نامه کارشناسی ارشد، «ارائه ساختاري نوين از ساختار ترانزيستور اثر ميدان نفوذي جانبي جهت دستيابي به شكل ميدان يكنواخت در لبه درين»، دانشگاه پویش قم، 1396

مجید خاموشی، پایان نامه کارشناسی ارشد، «مدلسازي و تصحيح ناپايداري ولتاژ آستانه در ترانزيستور اثر ميداني فلز-اكسيد-نيمرسانا (MOSFET) »، دانشگاه پویش قم، 1398

عباس مشهدی، پایان نامه کارشناسی ارشد، « بهينه سازي مشخصات عملكردي و جريان خروجي ترانزيستورهاي اثر ميدان با قابليت تحرك بالاي الكتروني»، دانشگاه پویش قم، 1398

اکبر علی نژاد، پایان نامه کارشناسی ارشد، « بهينه سازي مشخصات ترانزيستور اثر ميدان تونلي با گيت محصور شده»، دانشگاه پویش قم، 1398

حمید سالاروند، پایان نامه کارشناسی ارشد، « بهينه سازي عملكرد الكتريكي و حرارتي ترانزيستور اثر ميدان باله اي شكل نانو مقياس با استفاده از آلايش الكتريكي»، دانشگاه پویش قم، 1399